電子束蒸發(fā)舟

源)、電子加速電源、柑禍、磁場(chǎng)線圈、冷卻水套等組成。膜料放入水冷增禍中，電子束自源發(fā)出，用磁場(chǎng)線圈使電子束聚焦和偏轉(zhuǎn)，對(duì)膜料進(jìn)行轟擊和加熱。e型電子束蒸發(fā)源所發(fā)射的電子軌跡與“e” 相似，故有“e”型束源之稱，簡稱e 型槍。它主要由發(fā)射體組件( 電子槍) 、偏轉(zhuǎn)磁極靴及電子線圈、水冷坩堝及換位機(jī)構(gòu)、散射電子及離子收集極等部分組成。

產(chǎn)品介紹

電子束加熱的蒸鍍?cè)从兄睒屝碗娮訕尯蚭型電子槍兩種(也有環(huán)行)、由電子發(fā)射源(通常是熱的鎢陰極作電子源)、電子加速電源、柑禍、磁場(chǎng)線圈、冷卻水套等組成。膜料放入水冷增禍中，電子束自源發(fā)出，用磁場(chǎng)線圈使電子束聚焦和偏轉(zhuǎn)，對(duì)膜料進(jìn)行轟擊和加熱。e型電子束蒸發(fā)源所發(fā)射的電子軌跡與“e” 相似，故有“e”型束源之稱，簡稱e 型槍。它主要由發(fā)射體組件( 電子槍) 、偏轉(zhuǎn)磁極靴及電子線圈、水冷坩堝及換位機(jī)構(gòu)、散射電子及離子收集極等部分組成。

應(yīng)用電子束蒸發(fā)是將膜材放入水冷銅坩堝中，直接利用電子束加熱，使膜材中的原子或分子從表面汽化逸出后入射到基片表面凝結(jié)成膜。

到七十年代中期, 磁偏轉(zhuǎn)電子束蒸發(fā)源蒸鍍提高了淀積率, 并克服了環(huán)形槍蒸鍍時(shí)易發(fā)生氣體放電、功率較小, 以及直槍式蒸發(fā)源占用空間大, x 射線二次電子損傷大的缺點(diǎn), 而獲得廣泛的應(yīng)用, 特別在集成電路工藝中應(yīng)用, 達(dá)到了很好的效果。